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      美国加州大学和韩国三星电子开发出了在大面积柔性基板上集成三维层叠型存储器的基本技术（演讲编号：6b-2）。通过在把电荷积聚在绝缘膜上的捕获型存储器的沟道上采用石墨烯，在柔性基板上形成了能够三维层叠的高性能非易失性存储器。此次，采用石墨烯薄膜的转印工艺，在sio2/si基板上制作了具备石墨烯沟道的存储单元，发现能够确保足够大的工作窗口。

      现已提出的三维存储器方案，其构造多为在si基板上三维层叠使用多晶硅沟道的存储单元。东芝作为后nand闪存正在开发的电荷捕获型三维存储器“bics”就是其中的一例。据三星的开发小组介绍，东芝的三维存储器主要存在两个课题。第一，沟道材料因采用多晶硅，难以充分提高工作速度等性能。第二，因多晶硅的退火处理等要在高温下进行，在耐热性差的柔性基板上难以形成。其结果是，目前基板材料只能使用300mm的硅晶圆。

      三星的开发小组表示，在电荷捕获型存储器的沟道上采用石墨烯，能够克服上述问题。首先，石墨烯的载流子迁移率高，因此工作速度高的存储单元容易实现。其次，通过采用石墨烯的转印工艺，能够在250℃以下的低温下形成存储单元。因此优势在于，可以采用与平板显示器（fpd）相似的制造工艺，在大面积柔性基板上制作三维存储器。

      开发小组此次在sio2/si基板上形成了栅极电极采用ni、沟道采用单层石墨烯、电荷存储层采用hfo2、沟道绝缘膜采用al2o3的存储单元，并评估了其特性。得到的工作窗口宽达9.3v，足以用于非易失性存储器。（摘自技术在线）